Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 51

En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 15.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 11.8

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2687 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns