RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2284
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link