RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Compara
Mushkin 991659 (996659) 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Puntuación global
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1754
2902
Mushkin 991659 (996659) 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1333C7D3/2GX 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link