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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1982
3297
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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