RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
3691
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link