RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3206
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link