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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Puntuación global
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 5.3
    Valor medio en las pruebas
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 37
    En -19% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 5.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2395 left arrow 1740

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Memoria RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Memoria RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
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Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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