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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2608
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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