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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
92
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3772
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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