RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
92
En -207% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3310
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link