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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Puntuación global
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 1,266.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    92 left arrow 92
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,105.4 left arrow 15.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,266.1 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    339 left arrow 1640

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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