RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Compara
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1691
3595
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link