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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2431
2994
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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