RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
61
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
2537
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link