RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
61
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
2830
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link