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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
54
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2125
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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