RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
54
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2288
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link