RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
60
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
60
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2554
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link