RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2910
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link