RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3113
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link