RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
71
En -137% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2951
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link