RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
71
En -209% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3810
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link