RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2505
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link