RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
72
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
72
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1728
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link