RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
3673
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link