RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
39
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,597.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,022.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,597.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
753
3318
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link