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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Compara
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Puntuación global
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2270
3055
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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