RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3754
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link