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PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3356
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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