RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2686
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link