RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3027
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link