RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3568
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link