RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3564
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link