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PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
47
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2362
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
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