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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2620
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
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