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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

PNY Electronics PNY 2GB Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 5.4
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 11.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 5.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 1774

PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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