RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
3687
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link