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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
3285
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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