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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2155
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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