Comparación de la memoria RAM Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Puntuación global

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

43 58

En 26% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

18.5 13.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.5 9.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2285 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns