RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
2932
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link