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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
4124
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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