RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
49
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
49
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2331
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Informar de un error
×
Bug description
Source link