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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
64
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
64
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2194
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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