RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3363
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link