RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2416
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link