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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Especificaciones
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3011
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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