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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2797
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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