RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
45
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3027
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link