RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Compara
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1370
2810
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link